Hunan Sanan Semiconductor publica un informe de progreso del material monocristalino de carburo de silicio de 8 pulgadas

El Dr. Gao Yuqiang, subdirector general de Hunan Sanan Semiconductor Company, señaló que la reducción de costos es la clave para la cadena industrial del carburo de silicio, especialmente el sustrato y las piezas epitaxiales. Aunque el método en fase líquida se menciona ampliamente, el método en fase gaseosa sigue siendo el proceso de producción principal. Además, aún es necesario mejorar el rendimiento y la tasa de crecimiento del carburo de silicio. El sustrato de 8 pulgadas de Sanan Semiconductor más la pérdida de epitaxia es de aproximadamente el 4% y enfrenta el problema de la dificultad de corte. En el futuro, la reducción del espesor será la principal dirección para reducir costes.