Dobrý deň, spoločnosť je priekopníkom metódy kvapalnej fázy na prípravu 8-palcových kryštálov s nízkou hustotou defektov Aký je rozdiel medzi metódou v plynnej fáze a metódou v kvapalnej fáze v skutočnej hromadnej výrobe? Aký je rozdiel v chybovosti a výrobných nákladoch? dakujem

Tianyue Xianxian: Vážení investori, ahoj! Kľúčovým krokom pri výrobe monokryštálových substrátov z karbidu kremíka je rast monokryštálov, čo je tiež hlavný technický problém pri aplikácii polovodičových materiálov karbidu kremíka Ide o technologicky a kapitálovo náročný článok v priemyselnom reťazci. Medzi hlavné spôsoby výroby monokryštálov karbidu kremíka patrí fyzikálny transport pár (PVT), vysokoteplotná chemická depozícia z pár (HT-CVD), kvapalná fáza (LPE) a iné metódy. Spomedzi nich je metóda PVT súčasnou metódou rastu kryštálov karbidu kremíka vo veľkom meradle v priemysle. Technológia rastu kryštálov SiC v kvapalnej fáze má mnoho výhod, vrátane teoreticky vysokej kvality kryštálov a priťahuje veľkú pozornosť v priemysle, stále však existujú ťažkosti s industrializáciou, ktoré je potrebné prekonať pri aplikácii kvapalnej fázy vo veľkom meradle Metóda v kvapalnej fáze ešte nebola industrializovaná. Spoločnosť aktívne skúma a nasadzuje pokrokové technológie vrátane metódy tekutej fázy (metóda LPE) v technológii rastu kryštálov. Na Semicon Forum 2023 hlavný technologický riaditeľ spoločnosti Dr. Gao Chao informoval o základnej technológii spoločnosti a perspektívnom výskume a vývoji. 8-palcový kryštál s nízkou hustotou defektov bol pripravený pomocou metódy v kvapalnej fáze, ktorá je prvá v priemysle. Spoločnosť bude naďalej zvyšovať svoje úsilie v oblasti výskumu a vývoja, neustále prekonávať technické prekážky, urýchľovať inovácie produktov a upevňovať a posilňovať vedúce postavenie spoločnosti v tomto odvetví. Ďakujem za pozornosť!