A Samsung Electronics 1c nm-es DRAM feldolgozó berendezés bevezetését tervezi Pyeongtaek P4 üzemében

A Samsung Electronics állítólag DRAM-feldolgozó berendezések bevezetésére készül Pyeongtaek-i P4-es üzemében, hogy létrehozzon egy 1c nm-es DRAM-memória gyártósort. A gyártósor várhatóan jövő év júniusában kezdi meg működését, melynek célja a HBM4 memória energiahatékonysági versenyképességének javítása. A Pyeongtaek P4 egy integrált félvezetőgyártó központ, amely négy fázisra oszlik. A tervezés korai szakaszában az első fázis a NAND flash gyártás, a második fázis a logikai öntöde, míg a harmadik és negyedik fázis a DRAM memória előállítására összpontosít. A Samsung jelenleg a P4 első fázisában vezette be a DRAM gyártó berendezéseket, a második szakasz építését azonban felfüggesztette.