Samsung планує встановити свій перший High-NA EUV в Хвасон, Південна Корея, який, як очікується, буде введено в експлуатацію в середині 2025 року.

Повідомляється, що Samsung почне встановлювати перший High-NA EUV у своєму парку Хвасон у Південній Кореї з четвертого кварталу 2024 року до першого кварталу 2025 року. Очікується, що він буде введений в експлуатацію в середині 2025 року та спочатку використовуватиметься для розробки логічних процесів нижче 2 нм і передових процесів чіпів DRAM. Samsung також планує співпрацювати з Lasertec, JSR, Tokyo Electron і Synopsys для створення екосистеми High-NA EUV.