„Samsung“ planuoja įdiegti savo pirmąjį „High-NA EUV“ Hwaseong mieste, Pietų Korėjoje, kuris turėtų būti pradėtas naudoti 2025 m.

Pranešama, kad „Samsung“ pradės diegti pirmąjį „High-NA“ EUV savo Hwaseong parke Pietų Korėjoje nuo 2024 m. ketvirto ketvirčio iki 2025 m. pirmojo ketvirčio. Tikimasi, kad jis bus pradėtas naudoti 2025 m. viduryje ir pirmiausia bus naudojamas kurti loginius procesus, mažesnius nei 2 nm, ir pažangius DRAM lustų procesus. „Samsung“ taip pat planuoja bendradarbiauti su Lasertec, JSR, Tokyo Electron ir Synopsys, kad sukurtų didelės NA EUV ekosistemą.