STMicroelectronics og Sanan vinna saman um að byggja 8 tommu kísilkarbíð (SiC) hvarfefnisverksmiðju í Chongqing

8 tommu kísilkarbíð (SiC) hvarfefnisverksmiðjan stofnuð sameiginlega af STMicroelectronics (STM) og Sanan Optoelectronics Co., Ltd. í Chongqing hefur hafið framleiðslu tveimur mánuðum á undan áætlun. Verksmiðjan er umtalsverð fjárfesting í aðfangakeðju rafknúinna ökutækja í Kína, þar sem hún samþættir rannsóknir og þróun og framleiðslu á SiC undirlagi, epitaxy og flísum fyrir bíla. Heildarfjárfesting kísilkarbíðverkefnis Sanan ST er um 30 milljarðar RMB og gert er ráð fyrir að árstekjur nái 17 milljörðum RMB. Chongqing verksmiðjan mun verða stór birgir SiC hvarfefna fyrir vaxandi rafknúinn ökutækjamarkað í Kína, með árlega framleiðslugetu upp á 480.000 8 tommu SiC hvarfefni og MOSFET kraftflís í bílaflokki.