Samsung Electronics wyznacza cel przepustowości przekraczającej 3 TB/s dla masowej produkcji HBM4E w 2027 roku

Samsung Electronics planuje zwiększyć przepustowość swojej pamięci o wysokiej przepustowości siódmej generacji (HBM4E) do ponad 3 TB/s, a jej masowa produkcja planowana jest na 2027 rok. Docelowa przepustowość jest 2,5 razy większa niż w przypadku obecnej pamięci piątej generacji (HBM3E). Samsung Electronics poinformował również, że pamięć HBM4E będzie ponad dwukrotnie bardziej energooszczędna niż pamięć HBM3E.