सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 2027 में HBM4E के बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए 3TB/s से अधिक बैंडविड्थ का लक्ष्य निर्धारित किया है

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स अपनी सातवीं पीढ़ी की हाई-बैंडविड्थ मेमोरी (HBM4E) की बैंडविड्थ को 3TB/s से ज़्यादा तक बढ़ाने की योजना बना रहा है, जिसका बड़े पैमाने पर उत्पादन 2027 में होने की उम्मीद है। यह लक्षित बैंडविड्थ मौजूदा पाँचवीं पीढ़ी (HBM3E) की बैंडविड्थ का 2.5 गुना है। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने यह भी बताया कि HBM4E, HBM3E की तुलना में दोगुने से भी ज़्यादा ऊर्जा कुशल होगा।