Samsung Electronics ตั้งเป้าแบนด์วิดท์เกิน 3TB/s สำหรับการผลิต HBM4E จำนวนมากในปี 2027

Samsung Electronics วางแผนที่จะเพิ่มแบนด์วิดท์ของหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นที่ 7 (HBM4E) ให้สูงกว่า 3TB/s โดยคาดว่าจะผลิตจำนวนมากในปี 2027 โดยแบนด์วิดท์เป้าหมายนี้สูงกว่าหน่วยความจำรุ่นที่ 5 (HBM3E) ในปัจจุบันถึง 2.5 เท่า นอกจากนี้ Samsung Electronics ยังระบุด้วยว่า HBM4E จะประหยัดพลังงานมากกว่า HBM3E ถึงสองเท่า