Samsung Electronics tetapkan target bandwidth melebihi 3TB/s untuk produksi massal HBM4E pada tahun 2027

Samsung Electronics berencana meningkatkan bandwidth memori bandwidth tinggi generasi ketujuh (HBM4E) hingga lebih dari 3TB/dtk, dengan produksi massal diperkirakan akan dimulai pada tahun 2027. Target bandwidth ini 2,5 kali lipat dari generasi kelima saat ini (HBM3E). Samsung Electronics juga menyatakan bahwa HBM4E akan lebih dari dua kali lipat lebih hemat energi dibandingkan HBM3E.