深圳平湖研究所がSiC JFET技術で大きな進歩を達成

深圳市平湖研究所は先日、シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ（SiC JFET）技術において大きな進歩を遂げたと発表しました。同研究所は、国際的に先進的な仕様を備えた750Vプレーナー型SiC JFETデバイスの開発に成功しました。このデバイスは、980Vを超えるブレークダウン電圧、1.3mΩ·cm²という低いオン抵抗、そして2Ω未満（35mΩ仕様デバイス）というゲート寄生抵抗を誇ります。これらの技術パラメータは、国際的に同等のプレーナー型SiC JFET製品の性能を凌駕しています。