선전 핑후 연구소, SiC JFET 기술에서 획기적인 성과 달성

선전 핑후 연구소는 최근 실리콘 카바이드 접합 전계효과 트랜지스터(SiC JFET) 기술 분야에서 상당한 진전을 이루었다고 발표했습니다. 연구진은 국제적으로 선진 수준에 도달한 750V 평면 SiC JFET 소자를 성공적으로 개발했습니다. 이 소자는 980V를 넘는 항복 전압, 1.3mΩ·cm²의 낮은 온 저항, 그리고 2Ω 미만의 게이트 기생 저항(@35mΩ 규격 소자)을 자랑합니다. 이러한 기술적 성능은 유사한 국제 평면 SiC JFET 제품들의 성능을 능가합니다.