Shenzhen Pinghu Labor erzielt bedeutenden Durchbruch in der SiC-JFET-Technologie

Das Shenzhen Pinghu Labor hat kürzlich bedeutende Fortschritte in der Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor-Technologie (SiC-JFET) bekannt gegeben. Es wurde erfolgreich ein planarer 750-V-SiC-JFET entwickelt, dessen Spezifikationen international fortschrittlich sind. Das Bauelement zeichnet sich durch eine Durchbruchspannung von über 980 V, einen spezifischen Einschaltwiderstand von nur 1,3 mΩ·cm² und einen parasitären Gate-Widerstand von unter 2 Ω (bei einer Spezifikation von 35 mΩ) aus. Diese technischen Parameter übertreffen die vergleichbarer internationaler planarer SiC-JFET-Produkte.