Le laboratoire de Shenzhen Pinghu réalise une avancée majeure dans la technologie JFET SiC.

Le laboratoire Shenzhen Pinghu a récemment annoncé des progrès significatifs dans la technologie des transistors à effet de champ à jonction en carbure de silicium (SiC JFET). Il a développé avec succès un JFET SiC planaire de 750 V dont les spécifications atteignent les niveaux internationaux les plus avancés. Ce dispositif présente une tension de claquage supérieure à 980 V, une résistance à l'état passant spécifique aussi faible que 1,3 mΩ·cm² et une résistance parasite de grille inférieure à 2 Ω (pour un dispositif spécifié à 35 mΩ). Ces paramètres techniques surpassent ceux des JFET SiC planaires similaires disponibles à l'international.