Intel stellt Galliumnitrid-Chiptechnologie auf Basis von 300-mm-Silizium-Galliumnitrid vor

Auf der IEDM 2025 präsentierten Forscher der Intel-Foundry eine Chiptechnologie auf Basis eines 300-mm-GaN-auf-Silizium-Prozesses, die auf leistungsstarke, hochdichte und hocheffiziente Leistungselektronik sowie Hochfrequenzelektronik (HF-Elektronik) mit hoher Geschwindigkeit abzielt.