Intel présente une technologie de puces au nitrure de gallium basée sur du silicium de 300 mm.

Lors du salon IEDM 2025, des chercheurs de la fonderie d'Intel ont présenté une technologie de puce basée sur un procédé GaN sur silicium de 300 mm, ciblant les applications d'électronique de puissance haute performance, haute densité et haute efficacité et d'électronique radiofréquence (RF) à grande vitesse.