Intel presenta la tecnología de chip de nitruro de galio basada en silicio de 300 mm

En IEDM 2025, los investigadores de la fundición de Intel presentaron una tecnología de chip basada en un proceso de GaN sobre silicio de 300 mm, orientada a aplicaciones de electrónica de potencia de alto rendimiento, alta densidad y alta eficiencia y electrónica de radiofrecuencia de alta velocidad (electrónica RF).