أعلنت شركة إنتل عن تقنية رقائق نتريد الغاليوم القائمة على نتريد الغاليوم السيليكوني بقياس 300 مم
2025-12-10 16:21
977
في مؤتمر IEDM 2025، عرض باحثون من مصنع Intel تقنية رقاقة تعتمد على عملية GaN-on-Silicon بحجم 300 مم، تستهدف تطبيقات إلكترونيات الطاقة عالية الأداء وعالية الكثافة وعالية الكفاءة وتطبيقات إلكترونيات الترددات الراديوية عالية السرعة (RF Electronics).
