Infineon führt neuen Zuverlässigkeitsteststandard für Siliziumkarbid-MOSFETs ein

Infineon hat eine einzigartige Reihe von Zuverlässigkeitsteststandards für seine SiC-MOSFET-Produkte entwickelt, darunter den Gate-Stresstest (GSS) und den AC-Feuchtigkeits- und Temperaturzyklustest (AC-HTC) bei einer Schaltfrequenz von 500 kHz. Diese Tests sollen eine höhere Zuverlässigkeit von SiC-MOSFETs in Anwendungen in Branchen wie der Automobilindustrie gewährleisten.