快报列表

三星计划升级中国西安工厂至286层堆叠NAND Flash闪存制程技术 2025-02-17 16:00
美光计划2026年推出高性能HBM4内存模块 2024-12-25 15:00
三星电子成功开发400层堆叠NAND Flash闪存技术 2024-12-10 15:31
SK海力士将使用台积电3nm工艺生产定制化HBM4内存 2024-12-05 11:50
从HBM3向HBM4的过渡，制造高水平的DRAM堆叠的过程更加复杂 2024-11-30 17:18
三星电子开始供应最先进的HBM3E内存给大客户 2024-11-03 16:40
三星电子计划推出新一代V-NAND技术 2024-10-31 17:30
广东光芯片产业创新发展行动方案提出三大策略 2024-10-29 13:27
奥比中光dToF激光雷达传感器芯片拟Q4交付 2024-10-24 15:00
北极芯微开发车载面阵激光雷达芯片DTC5250 2024-10-20 22:32
三星HBM3E未通过英伟达认证，可能推迟到2025年 2024-10-19 20:52
Melexis发布新型双芯片堆叠式版本，助力自动驾驶发展 2024-09-27 16:29
芯视元主要产品 2024-09-02 00:00
请问公司最新发布的激光雷达传感芯片LS635是否可应用于纯固态激光雷达？与市面上的汽车激光雷达有什么特点和先进性吗？ 2024-08-27 09:24
英特尔和三星积极布局3.5D半导体封装技术 2024-08-25 17:32